三菱手錶電池多少錢一顆

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❸ 紐扣電池什麼牌子好

紐扣電池市場現在只要分國內品牌和國外品牌

目前全球知名紐扣電池品牌國內地位排名；

1.松下panasonic 其下紐扣電池品種繁多，品質優質是很多高端電子儀器設備行業和民用電子行業首選電池。全部生產地址在印尼生產，極少部分型號由國產電池待為貼牌其品質與印尼生產差別較大。目前為全球第一品牌！

2.萬盛Maxell（麥克賽爾） 其下CR鋰錳電池以及ML電池在行業非常出名，高標准與高自動化產線使得其品質得到非常高的保障，需要注意的是國內很多廠家假冒較多！其品牌也是紐扣電池行業第一品牌。

3.精工SEIKO 作為世界上著名的石英手錶廠商，同時也生產電腦列印機。做電子元器件，在石英振子這一方面，SII也是做的非常之出色的,能夠與日本精工晶振全球同等級競爭的，只有日本大真空KDS。其下MS電池與ML較小型號紐扣電池，在行業內獲得非常高的認可度，甚至超過松下。

目前國內紐扣電池品牌排名；

細心的網友會發現全球紐扣電池知名品牌日本居多，主要原因是國內紐扣電池的起步比較晚，在上個實際八九十年代才慢慢興起，當時依靠日本技術，武漢力興以及Newsun等自主品牌興起，然而歲月變遷，很多品牌已經沒有當年的初衷。現排名如下。

1.力佳科技（Lijia，Omniergy） 宜昌力佳科技有限公司建立於2011年，員工人數400餘人，技術力量雄厚，依靠廣州鵬輝現已上市，年生產能力峰值10億只。由於其電池表面鍍鎳外觀優秀，性能不錯，現銷售市場非常廣泛，是國內電池第一品牌。

2.宇峰（Henlimax） 宇峰坐落在江蘇常州，公司生產的Henlimax品牌電池，品質優秀，尤其是CR2450高功率版的紐扣電池更是業內佼佼者，唯一能與之競爭與並肩的只有LIDEA力電品牌電池。靠著這一得力產品宇峰電池在業內高功率電池鄰域獲得非常高的認可度，但是由於其公司產品定位並不精準，有低端電池和高端電池之分，所以現收到成為很多貿易商的青睞。

3.力電電池（LIDEA） 深圳市力電電池有限公司建立於2006年，現已13年之久，公司一直以生產高端紐扣電池為初衷，其下LIDEA品牌很多CR系列型號電池在高容量領域甚至超越Panasonic。例如其下LIDEA品牌CR2450容量高達700mAh成為全球標桿！另外在高功率電池鄰域一直與Henlimax同台競爭，獲得不俗成績。在LED小電流閃燈領域尤為出色（蠟燭燈，鞋燈等行業）閃放時長超越同行30%之多。另外在特殊領域 例如高低溫電池也有所突破。2014年公司研發的LIR1254電池作為藍牙耳機對耳專用電池成功領先於行業（現能做此款產品廠家不超過5家）公司其主要核心技術依靠於天津第18研究所，技術總工現已70多高齡，培養了一大批紐扣電池技術新人才。是紐扣電池行業內的一線知名品牌。coincell.1688.com

註：很多人一定好奇為什麼沒有 南孚 天球 這樣的大品牌，我不排上去是有原因的，這些品牌電池從技術層面上來說就是低端電池 ；另外上述倆個品牌其公司並沒有生產紐扣電池，其品牌電池均為貼牌與代工，品質在國內完全排不上號，所以就省略啦！！！！

❹ 一粒紐扣電池放在led手錶上大概能用多長時間

要看你的產品的使用電流是多少，你電池的容量是多少的紐扣鋰電池，舉個例子，你的LED手錶使用的是CR2032,(國外松下、索尼、萬勝、三菱國內的信湖、力佳、力興、高能達容量是220mAh,深圳市力電電池容量是240mAh)使用電流是0.05mA，那麼使用時間是220/0.05=4400個小時，240/0.05=4800個小時，如果電流是0.01mA,那麼使用時間是220/0.01=22000個小時，240/0.01=24000個小時，這幾個品牌的電池儲存時間是5年左右，也就是說如果你使用的是5年前生產的電池，那麼就算是新的也不能工作了！通常情況下手錶的電池設計可工作的使用時間是3年以上！希望能夠幫到你！

❺ 關於卡西歐太陽能手錶電池的問題

引言 太陽能是人類取之不盡用之不竭的可再生能源．也是清潔能源，不產生任何的環境污染。在太陽能的有效利用當中；大陽能光電利用是近些年來發展最快，最具活力的研究領域， 是其中最受矚目的項目之一。為此，人們研製和開發了太陽能電池。製作太陽能電池主要是以半導體材料為基礎，其工作原理是利用光電材料吸收光能後發生光電於轉換反應，根據所用材料的不同，太陽能電池可分為：1、硅太陽能電池；2、以無機鹽如砷化鎵III-V化合物、硫化鎘、銅銦硒等多元化合物為材料的電池；3、功能高分子材料制備的大陽能電池；4、納米晶太陽能電池等。不論以何種材料來製作電池，對太陽能電池材料一般的要求有：1、半導體材料的禁帶不能太寬；②要有較高的光電轉換效率：3、材料本身對環境不造成污染；4、材料便於工業化生產且材料性能穩定。基於以上幾個方面考慮，硅是最理想的太陽能電池材料，這也是太陽能電池以硅材料為主的主要原因。但隨著新材料的不斷開發和相關技術的發展，以其它村料為基礎的太陽能電池也愈來愈顯示出誘人的前景。本文簡要地綜述了太陽能電池的種類及其研究現狀，並討論了太陽能電池的發展及趨勢。 1 硅系太陽能電池 1.1 單晶硅太陽能電池 硅系列太陽能電池中，單晶硅大陽能電池轉換效率最高，技術也最為成熟。高性能單晶硅電池是建立在高質量單晶硅材料和相關的成熱的加工處理工藝基礎上的。現在單晶硅的電地工藝己近成熟，在電池製作中，一般都採用表面織構化、發射區鈍化、分區摻雜等技術，開發的電池主要有平面單晶硅電池和刻槽埋柵電極單晶硅電池。提高轉化效率主要是靠單晶硅表面微結構處理和分區摻雜工藝。在此方面，德國夫朗霍費費萊堡太陽能系統研究所保持著世界領先水平。該研究所採用光刻照相技術將電池表面織構化，製成倒金字塔結構。並在表面把一13nm。厚的氧化物鈍化層與兩層減反射塗層相結合．通過改進了的電鍍過程增加柵極的寬度和高度的比率：通過以上製得的電池轉化效率超過23%，是大值可達23．3％。Kyocera公司制備的大面積（225cm2）單電晶太陽能電池轉換效率為19．44%，國內北京太陽能研究所也積極進行高效晶體硅太陽能電池的研究和開發，研製的平面高效單晶硅電池（2cm X 2cm）轉換效率達到19.79%，刻槽埋柵電極晶體硅電池（5cm X 5cm）轉換效率達8.6%。 單晶硅太陽能電池轉換效率無疑是最高的，在大規模應用和工業生產中仍占據主導地位，但由於受單晶硅材料價格及相應的繁瑣的電池工藝影響，致使單晶硅成本價格居高不下，要想大幅度降低其成本是非常困難的。為了節省高質量材料，尋找單晶硅電池的替代產品，現在發展了薄膜太陽能電池，其中多晶硅薄膜太陽能電池和非晶硅薄膜太陽能電池就是典型代表。 1．2 多晶硅薄膜太陽能電池 通常的晶體硅太陽能電池是在厚度350～450μm的高質量矽片上製成的，這種矽片從提拉或澆鑄的硅錠上鋸割而成。因此實際消耗的硅材料更多。為了節省材料，人們從70年代中期就開始在廉價襯底上沉積多晶硅薄膜，但由於生長的硅膜晶粒大小，未能製成有價值的太陽能電池。為了獲得大尺寸晶粒的薄膜，人們一直沒有停止過研究，並提出了很多方法。目前制備多晶硅薄膜電池多採用化學氣相沉積法，包括低壓化學氣相沉積（LPCVD）和等離子增強化學氣相沉積（PECVD）工藝。此外，液相外延法（LPPE）和濺射沉積法也可用來制備多晶硅薄膜電池。 化學氣相沉積主要是以SiH2Cl2、SiHCl3、Sicl4或SiH4,為反應氣體,在一定的保護氣氛下反應生成硅原子並沉積在加熱的襯底上，襯底材料一般選用Si、SiO2、Si3N4等。但研究發現，在非硅襯底上很難形成較大的晶粒,並且容易在晶粒間形成空隙。解決這一問題辦法是先用 LPCVD在襯底上沉熾一層較薄的非晶硅層，再將這層非晶硅層退火，得到較大的晶粒，然後再在這層籽晶上沉積厚的多晶硅薄膜，因此，再結晶技術無疑是很重要的一個環節，目前採用的技術主要有固相結晶法和中區熔再結晶法。多晶硅薄膜電池除採用了再結晶工藝外，另外採用了幾乎所有制備單晶硅太陽能電池的技術，這樣製得的太陽能電池轉換效率明顯提高。德國費萊堡太陽能研究所採用區館再結晶技術在FZ Si襯底上製得的多晶硅電池轉換效率為19％，日本三菱公司用該法制備電池，效率達16.42%。 液相外延（LPE）法的原理是通過將硅熔融在母體里，降低溫度析出硅膜。美國Astropower公司採用LPE制備的電池效率達12．2％。中國光電發展技術中心的陳哲良採用液相外延法在冶金級矽片上生長出硅晶粒，並設計了一種類似於晶體硅薄膜太陽能電池的新型太陽能電池，稱之為「硅粒」太陽能電池，但有關性能方面的報道還未見到。 多晶硅薄膜電池由於所使用的硅遠較單晶硅少，又無效率衰退問題，並且有可能在廉價襯底材料上制備，其成本遠低於單晶硅電池，而效率高於非晶硅薄膜電池，因此，多晶硅薄膜電池不久將會在太陽能電地市場上占據主導地位。 1.3 非晶硅薄膜太陽能電池 開發太陽能電池的兩個關鍵問題就是：提高轉換效率和 降低成本。由於非晶硅薄膜太陽能電池的成本低，便於大規模生產，普遍受到人們的重視並得到迅速發展，其實早在70年代初，Carlson等就已經開始了對非晶硅電池的研製工作,近幾年它的研製工作得到了迅速發展,目前世界上己有許多家公司在生產該種電池產品。 非晶硅作為太陽能材料盡管是一種很好的電池材料，但由於其光學帶隙為1.7eV, 使得材料本身對太陽輻射光譜的長波區域不敏感，這樣一來就限制了非晶硅太陽能電池的轉換效率。此外，其光電效率會隨著光照時間的延續而衰減，即所謂的光致衰退S一W效應，使得電池性能不穩定。解決這些問題的這徑就是制備疊層太陽能電池，疊層太陽能電池是由在制備的p、i、n層單結太陽能電池上再沉積一個或多個P-i-n子電池製得的。疊層太陽能電池提高轉換效率、解決單結電池不穩定性的關鍵問題在於：①它把不同禁帶寬度的材科組台在一起，提高了光譜的響應范圍；②頂電池的i層較薄，光照產生的電場強度變化不大，保證i層中的光生載流子抽出；③底電池產生的載流子約為單電池的一半，光致衰退效應減小；④疊層太陽能電池各子電池是串聯在一起的。 非晶硅薄膜太陽能電池的制備方法有很多，其中包括反應濺射法、PECVD法、LPCVD法等，反應原料氣體為H2稀釋的SiH4，襯底主要為玻璃及不銹鋼片，製成的非晶硅薄膜經過不同的電池工藝過程可分別製得單結電池和疊層太陽能電池。目前非晶硅太陽能電池的研究取得兩大進展：第一、三疊層結構非晶硅太陽能電池轉換效率達到13％，創下新的記錄；第二.三疊層太陽能電池年生產能力達5MW。美國聯合太陽能公司（VSSC）製得的單結太陽能電池最高轉換效率為9．3%，三帶隙三疊層電池最高轉換效率為13％，見表1 上述最高轉換效率是在小面積（0．25cm2）電池上取得的。曾有文獻報道單結非晶硅太陽能電池轉換效率超過12．5％，日本中央研究院採用一系列新措施，製得的非晶硅電池的轉換效率為13．2％。國內關於非晶硅薄膜電池特別是疊層太陽能電池的研究並不多，南開大學的耿新華等採用工業用材料，以鋁背電極制備出面積為20X20cm2、轉換效率為8．28％的a－Si/a－Si疊層太陽能電池。 非晶硅太陽能電池由於具有較高的轉換效率和較低的成本及重量輕等特點，有著極大的潛力。但同時由於它的穩定性不高，直接影響了它的實際應用。如果能進一步解決穩定性問題及提高轉換率問題，那麼，非晶硅大陽能電池無疑是太陽能電池的主要發展產品之一。 2 多元化合物薄膜太陽能電池 為了尋找單晶硅電池的替代品,人們除開發了多晶硅、非晶硅薄膜太陽能電池外，又不斷研製其它材料的太陽能電池。其中主要包括砷化鎵III-V族化合物、硫化鎘、硫化鎘及銅錮硒薄膜電池等。上述電池中，盡管硫化鎘、碲化鎘多晶薄膜電池的效率較非晶硅薄膜太陽能電池效率高，成本較單晶硅電池低，並且也易於大規模生產，但由於鎘有劇毒，會對環境造成嚴重的污染，因此，並不是晶體硅太陽能電池最理想的替代 砷化鎵III-V化合物及銅銦硒薄膜電池由於具有較高的轉換效率受到人們的普遍重視。GaAs屬於III-V族化合物半導體材料，其能隙為1．4eV，正好為高吸收率太陽光的值，因此，是很理想的電池材料。GaAs等III-V化合物薄膜電池的制備主要採用 MOVPE和LPE技術，其中MOVPE方法制備GaAs薄膜電池受襯底位錯、反應壓力、III-V比率、總流量等諸多參數的影響。 除GaAs外，其它III-V化合物如Gasb、GaInP等電池材料也得到了開發。1998年德國費萊堡太陽能系統研究所製得的GaAs太陽能電池轉換效率為24．2％，為歐洲記錄。首次制備的GaInP電池轉換效率為14．7％．見表2。另外，該研究所還採用堆疊結構制備GaAs，Gasb電池，該電池是將兩個獨立的電池堆疊在一起，GaAs作為上電池，下電池用的是Gasb,所得到的電池效率達到31．1％。 銅銦硒CuInSe2簡稱CIC。CIS材料的能降為1．leV，適於太陽光的光電轉換,另外，CIS薄膜太陽電池不存在光致衰退問題。因此，CIS用作高轉換效率薄膜太陽能電池材料也引起了人們的注目。 CIS電池薄膜的制備主要有真空蒸鍍法和硒化法。真空蒸鍍法是採用各自的蒸發源蒸鍍銅、銦和硒，硒化法是使用H2Se疊層膜硒化，但該法難以得到組成均勻的CIS。CIS薄膜電池從80年代最初8％的轉換效率發展到目前的15％左右。日本松下電氣工業公司開發的摻鎵的CIS電池，其光電轉換效率為15．3％（面積1cm2）。1995年美國可再生能源研究室研製出轉換效率為17．l％的CIS太陽能電池，這是迄今為止世界上該電池的最高轉換效率。預計到2000年CIS電池的轉換效率將達到20％，相當於多晶硅太陽能電池。 CIS作為太陽能電池的半導體材料，具有價格低廉、性能良好和工藝簡單等優點，將成為今後發展太陽能電池的一個重要方向。唯一的問題是材料的來源，由於銦和硒都是比較稀有的元素，因此，這類電池的發展又必然受到限制。 3 聚合物多層修飾電極型太陽能電池 在太陽能電池中以聚合物代替無機材料是剛剛開始的一個太陽能電池制爸的研究方向。其原理是利用不同氧化還原型聚合物的不同氧化還原電勢，在導電材料（電極）表面進行多層復合，製成類似無機P－N結的單向導電裝置。其中一個電極的內層由還原電位較低的聚合物修飾，外層聚合物的還原電位較高，電子轉移方向只能由內層向外層轉移；另一個電極的修飾正好相反，並且第一個電極上兩種聚合物的還原電位均高於後者的兩種聚合物的還原電位。當兩個修飾電極放入含有光敏化劑的電解波中時．光敏化劑吸光後產生的電子轉移到還原電位較低的電極上，還原電位較低電極上積累的電子不能向外層聚合物轉移，只能通過外電路通過還原電位較高的電極回到電解液，因此外電路中有光電流產生。 由於有機材料柔性好，製作容易，材料來源廣泛，成本底等優勢，從而對大規模利用太陽能，提供廉價電能具有重要意義。但以有機材料制備太陽能電池的研究僅僅剛開始，不論是使用壽命，還是電池效率都不能和無機材料特別是硅電池相比。能否發展成為具有實用意義的產品，還有待於進一步研究探索。 4 納米晶化學太陽能電池 在太陽能電池中硅系太陽能電池無疑是發展最成熟的，但由於成本居高不下，遠不能滿足大規模推廣應用的要求。為此，人們一直不斷在工藝、新材料、電池薄膜化等方面進行探索，而這當中新近發展的納米TiO2晶體化學能太陽能電池受到國內外科學家的重視。 自瑞士Gratzel教授研製成功納米TiO2化學大陽能電池以來，國內一些單位也正在進行這方面的研究。納米晶化學太陽能電池（簡稱NPC電池）是由一種在禁帶半導體材料修飾、組裝到另一種大能隙半導體材料上形成的，窄禁帶半導體材料採用過渡金屬Ru以及Os等的有機化合物敏化染料，大能隙半導體材料為納米多晶TiO2並製成電極，此外NPC電池還選用適當的氧化一還原電解質。納米晶TiO2工作原理：染料分子吸收太陽光能躍遷到激發態，激發態不穩定，電子快速注入到緊鄰的TiO2導帶，染料中失去的電子則很快從電解質中得到補償，進入TiO2導帶中的電於最終進入導電膜,然後通過外迴路產生光電流。 納米晶TiO2太陽能電池的優點在於它廉價的成本和簡單的工藝及穩定的性能。其光電效率穩定在10％以上，製作成本僅為硅太陽電池的1/5～1/10．壽命能達到2O年以上。但由於此類電池的研究和開發剛剛起步，估計不久的將來會逐步走上市場。 5 太陽能電池的發展趨勢 從以上幾個方面的討論可知，作為太陽能電池的材料，III-V族化合物及CIS等系由稀有元素所制備，盡管以它們製成的太陽能電池轉換效率很高，但從材料來源看，這類太陽能電池將來不可能占據主導地位。而另兩類電池納米晶太陽能電池和聚合物修飾電極太陽能電地存在的問題，它們的研究剛剛起步，技術不是很成熟，轉換效率還比較低，這兩類電池還處於探索階段，短時間內不可能替代應系太陽能電池。因此，從轉換效率和材料的來源角度講，今後發展的重點仍是硅太陽能電池特別是多晶硅和非晶硅薄膜電池。由於多晶硅和非晶硅薄膜電池具有較高的轉換效率和相對較低的成本，將最終取代單晶硅電池，成為市場的主導產品。 提高轉換效率和降低成本是太陽能電池制備中考慮的兩個主要因素，對於目前的硅系太陽能電池，要想再進一步提高轉換效率是比較困難的。因此，今後研究的重點除繼續開發新的電池材料外應集中在如何降低成本上來，現有的高轉換效率的太陽能電池是在高質量的矽片上製成的，這是製造硅太陽能電池最費錢的部分。因此，在如何保證轉換效率仍較高的情況下來降低襯底的成本就顯得尤為重要。也是今後太陽能電池發展急需解決的問題。近來國外曾採用某些技術製得硅條帶作為多晶硅薄膜太陽能電池的基片，以達到降低成本的目的，效果還是比較現想的。 太陽能光電技術發展的現狀及前景 2005-6-30 中國太陽能光伏發電面臨的困難與前景 2005-6-30 高效率點聚焦太陽熱直接發電 2005-6-30 硅基薄膜太陽電池的發展與未來 2005-6-30 非晶硅太陽電池的發展 2005-6-30 太陽能空調的研究與發展 2005-6-30 太陽能利用歷史回顧 2005-6-6 中國太陽能熱水器消費使用狀況調查報告 2005-4-18 更多... 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❻ MCU可10年不換電池日本最大的半導體廠商瑞薩是如何做到的

在6月12日在日本京都召開的2019年度"VLSI和電路技術專題研討會上，瑞薩展示了業界首款基於65nm SOTB技術的嵌入式2T-MONOS（雙晶體管-金屬氧化氮氧化硅）快閃記憶體的相關測試結果。基於SOTB的新技術已在瑞薩R7F0E嵌入式控制器中所採用，該控制器專門用於能量採集應用。

2003年由日立和三菱電機合並成立了瑞薩電子。

2010年4月1日，NEC電子和瑞薩電子合並，成為了全球第一的MCU供應商，也是SoC系統晶片與各式類比及電源裝置等先進半導體解決方案的領導品牌之一。在成立之時一躍成為全球第三大半導體公司，僅次於英特爾和三星。

然而瑞薩電子合並後的幾年路走的並不順，從成立時的全球半導體老三的位置一路掙扎，在2014年跌出了全球前十。

2016年，瑞薩開始下注 汽車 行業，並以32億美元收購Intersil，引入了模擬與混合信號晶元產品線，盈利才逐漸上來。2017年，瑞薩占據了全球20%的MCU市佔率。

去年9月11日，瑞薩宣布以約67億美元收購美國模擬晶元大廠IDT，這個收購被認為是為了應對 汽車 領域的老對手NXP的威脅。在智能手機市場增長下滑的今天，預計 汽車 市場將是未來半導體廠商最大的細分市場。然而在2018年，意法半導體(STMicroelectronics)、英飛凌(Infineon)和NXP的 汽車 業務收入均出現增長，而瑞薩(Renesas)的 汽車 業務收入卻較2017年有所下降。

與最接近的競爭對手相比，瑞薩是唯一一家在2018年 汽車 業務營收出現下滑的供應商，這不僅讓人感覺到一絲意外

瑞薩電子中國董事長真岡朋光認為，瑞薩在2018年已經預計到了市場需求疲軟的現狀，同時也根據需求下滑進行了相對應的措施，如調整工廠產能。此外這不僅僅是瑞薩電子一家企業的事情，還需要跟代理商和銷售渠道不斷的加強溝通。"我們的客戶對市場的未來也比較謹慎。因為不由廠商控制的情況太多了，比如現在的中美貿易摩擦的問題，沒有人能預計到，但就是發生了。"真岡朋光認為，中美貿易摩擦這種不可控的事情發生，對瑞薩的客戶影響是很明顯的，因此瑞薩需要不斷調整自己去適應市場的變化。

目前對於瑞薩來說，最重要的事情是盡快適應與IDT的並購，以及實現"1+1大於2"的效果。

據IDT的財報，近些年其毛利率在60%以上，2014—2018年復合增長率更是高達14.8%，而且其技術和產品恰好符合瑞薩電子下注的 汽車 業務，其數據中心與通信基礎設施也會為瑞薩開辟更大的市場。2019年瑞薩與IDT的收購案終於達成，瑞薩也一躍成為日本最大的半導體公司。

目前瑞薩全球銷售額7600億日元，全球19000員工。從財報來看，瑞薩電子收入7570億日元。

"面向 汽車 電子的半導體產品是瑞薩的代表業務。從應用領域來看， 汽車 領域銷售額約占總銷售額的一半，很難找到一輛完全不使用瑞薩電子產品的 汽車 。"——這是瑞薩電子中國董事長真岡朋光在今年舉行的CITE中國信息博覽會上的發言。

汽車 市場當然是瑞薩最重要的市場之一。根據srategy Analytics2018提供的數據，瑞薩電子在2017年的 汽車 MCU/SOC市場份額眾，包括動力總成、xEV、車身、底盤與安全、信息 娛樂 &儀表相關的車用晶元均排名第一。

此外，2017年瑞薩發布了一個ADAS及自動駕駛平台Renesas Autonomy，同時發布的還有R-CarV3M SoC，該晶元配有2顆ARM CortexA53、雙CortexR7鎖步內核和1個集成ISP，可滿足符合ASIL-C級別功能安全的硬體要求，能夠在智能攝像頭、全景環視系統和雷達等多項ADAS應用中進行擴展。除了R-Car系列產品外，瑞薩也有針對雷達感測器的專業處理器晶元如RH850/V1R-M系列。

應該說R-Car系列是瑞薩進軍自動駕駛的切入點。此前推出的第三代產品R-CarH3/M3已經具有L2等級的自動駕駛需求。只不過作為一家日系公司，瑞薩在自動駕駛領域的布局顯得異常低調。

作為日本最大的半導體廠商，瑞薩的目標絕不僅僅是 汽車 市場，物聯網市場也是瑞薩的布局重點。

5月28日，瑞薩電子2019產品及系統方案研討會——廈門站正式召開。在此次活動上，瑞薩不僅展示了自己的多款嵌入式解決方案，還首次展示了IDT的多款物聯網解決方案，以及融合了瑞薩與IDT雙方技術的系統級解決方案。

瑞薩切入物聯網領域，在今年重點推廣的主要有兩大技術：DRP技術和低功耗的SOTB技術。

提到瑞薩在物聯網領域的布局，不得不提到瑞薩在今年重點推廣的DRP技術和低功耗的SOTB技術。

DRP技術，簡單來說就是本地的嵌入式AI解決方案，可以取代以往的雲端AI計算能力。

在商湯、曠視等各大AI晶元廠商以及Nvidia、Intel、高通等傳統半導體廠商紛紛布局嵌入式AI的今天，瑞薩的DRP有什麼亮點呢？

據了解，瑞薩獨有的DRP技術，是一種動態可編程的處理器，可以按照不同的時間把動態邏輯編程，這特別適合應用在圖像處理等應用上。DRP中有AI -MAC，有大量的計算單元，可以來實現卷積運算。

此外，相比目前市場上的通用的嵌入式AI晶元，如MCU、DSP、FPGA，瑞薩DRP可以做到10~100倍的強大處理能力，而功耗則降低很多。據了解，這個DRP的主頻只有60Mhz，而處理能力則比A9 MCU要快13倍。

SOTB技術，則是一種極低功耗技術，可以讓MCU的電流消耗降低到傳統電流的十分之一。簡單來說，這種技術讓不需要電池的模式成為可能。

由於採用了無摻雜的晶體管，對比傳統的平面式晶體管的淤積特性變化，可以在超低電壓下進行穩定的操作，比如0.5伏左右。如果傳統的MCU採用3V的紐扣電池供電，可能一個月後就沒電了。

如果採用STB技術到MCU，由於本身需要的電流非常低，可能3μA就夠了，這個功耗幾乎可以忽略不計，可以實現無間斷的工作。再配合低功耗的DRP嵌入式AI方案，整個系統就可以做到低時延、安全、低功耗。瑞薩電子也強調，其超低功耗的產品可保證設備10年左右不換電池，這是其技術優勢所在。

陳建明部表示，SOTB技術的推廣將分三步走，第一步主要是替換需要更換電池的各類MCU應用；第二步預計到2021年在藍牙BLE中增加帶SOTB功能的MCU。比如智能家電、智能樓宇等。第三步則將SOTB和E-AI技術共同加入進來，做成完整的解決方案，在農業、智能交通等領域都可以用到。

在6月12日在日本京都召開的2019年度"VLSI和電路技術專題研討會上，瑞薩展示了業界首款基於65nm SOTB技術的嵌入式2T-MONOS（雙晶體管-金屬氧化氮氧化硅）快閃記憶體的相關測試結果。基於SOTB的新技術已在瑞薩R7F0E嵌入式控制器中所採用，該控制器專門用於能量採集應用。與非SOTB 2T-MONOS快閃記憶體（約需50μA/MHz讀取電流）相比，新技術實現的讀取電流僅6μA/MHz左右，等效於0.22 pJ/bit的讀取能耗，達到MCU嵌入式快閃記憶體最低能耗級別。這項新技術還有助於在R7F0E上實現20μA/MHz的低有效讀取電流，達到業界最佳。

值得一提的是，能量收集技術的迅猛發展，使智能穿戴設備的自我供能有望成為現實。比如手環、耳機等可穿戴設備目前受限最大的就是功耗問題，而瑞薩下一步將在藍牙BLE中增加帶SOTB功能的MCU，很明顯穿戴產品將大大受益。

我們有理由展望不久的未來，採用瑞薩的SOTB技術的能量採集系統將在智能手錶等穿戴類設備中大顯神威。